據韓媒ETNews報道，三星電子已作出重大決策，計劃在2025年初引進首臺ASML High NA EUV光刻機。此舉標志著三星將正式加入與英特爾、臺積電等巨頭在下一代光刻技術商業化研發方面的競爭。
此前，三星已與比利時微電子研究中心imec展開合作，在imec與ASML共同建立的High NA EUV光刻實驗室中進行了初步探索。此次自有High NA機臺的引入，預計將大幅加速三星在相關領域的研發進程。
考慮到High NA EUV光刻機的精密性，安裝和調試工作預計將耗費一定時間。因此，該機臺有望最早在明年中旬投入研發使用。三星目前的半導體先進制程路線圖已規劃至SF1.4節點，預計于2027年量產，而采用High-NA光刻的制程則最早需等待至SF1階段。
在先進制程代工領域的競爭中，三星的主要對手英特爾已完成第二臺High NA EUV光刻機的安裝工作，而臺積電的首個機臺也預計將于今年內交付。在存儲領域，SK海力士則有望在2026年引入其首臺High NA EUV光刻機。
