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內存大廠新動向:HBM4或采用無助焊劑鍵合技術,層間間隙有望進一步縮減

   時間:2024-11-14 12:23 來源:ITBEAR作者:柳晴雪

隨著內存技術的不斷進步,業界領先的半導體制造商正積極探索下一代高帶寬內存(HBM)的革新方案。近日,據韓國科技新聞網站ETNews披露,三星電子、SK海力士及美光科技均對在即將推出的HBM4內存中采用新型的無助焊劑鍵合技術展現出了濃厚興趣,并已著手進行相關技術儲備。

據了解,HBM內存技術自問世以來,就以其超高的數據傳輸速度和能效比受到了業界的廣泛關注。隨著技術迭代至HBM4階段,16層堆疊結構將成為主流,這要求制造商必須進一步壓縮內存層間的間隙,以確保整體堆棧高度不超出規定的775微米限制。

在這一技術挑戰面前,傳統的有凸塊鍵合技術雖仍占據主導地位,但無凸塊的混合鍵合技術也在不斷發展中。然而,目前該技術尚未成熟,難以立即應用于大規模生產。因此,三大內存制造商開始將目光轉向了無助焊劑鍵合技術。

助焊劑在現有的HBM鍵合工藝中扮演著重要角色,它能夠有效清除DRAM芯片表面的氧化層,從而確保鍵合過程中的機械和電氣連接不受干擾。然而,助焊劑殘留物也會增加芯片間的間隙,進而影響整體堆棧的高度。

針對這一問題,美光科技表現得尤為積極,已與多家合作伙伴共同測試無助焊劑鍵合工藝的可行性。SK海力士也在考慮引入該技術,而三星電子同樣對此保持高度關注。這三大內存制造商的準備程度雖有所不同,但無疑都認識到了無助焊劑鍵合技術在未來HBM4內存生產中的潛在價值。

 
 
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