近期，據(jù)首爾經(jīng)濟日報披露，三星電子已正式啟動對1.0納米晶圓代工工藝的研發(fā)工作，此舉被視為其力圖在與臺積電的技術(shù)競賽中實現(xiàn)彎道超車的重要一步。

據(jù)悉，三星電子半導(dǎo)體研究所已組建了一支由頂尖研發(fā)人員構(gòu)成的專項團隊，這些人員曾深度參與2納米等先進制程技術(shù)的研發(fā)。在三星目前公開的晶圓代工工藝藍圖中，1.4納米工藝原計劃于2027年實現(xiàn)量產(chǎn)，被視為其技術(shù)前沿的代表。

然而，三星并不滿足于現(xiàn)狀，而是將目光投向了更為先進的1納米工藝。據(jù)首爾經(jīng)濟日報報道，1納米工藝的研發(fā)將需要突破現(xiàn)有的設(shè)計框架，引入全新的技術(shù)理念，以及采用包括高數(shù)值孔徑極紫外（High-NA EUV）曝光設(shè)備等在內(nèi)的下一代生產(chǎn)設(shè)備。三星預(yù)計，這一工藝的量產(chǎn)時間將不早于2029年。

當(dāng)前，三星正在量產(chǎn)3納米工藝，并計劃在今年內(nèi)實現(xiàn)2納米工藝的量產(chǎn)。然而，首爾經(jīng)濟日報指出，在技術(shù)上，三星仍落后于其主要競爭對手臺積電，尤其是在2納米工藝方面，臺積電的良率已突破60%，而三星則存在明顯的差距。因此，三星對1納米工藝寄予了厚望，希望借此縮小與臺積電的技術(shù)差距。

盡管面臨技術(shù)挑戰(zhàn)，但三星在2納米工藝的研發(fā)上仍取得了一定進展。據(jù)韓媒The Bell此前報道，三星最新的2納米SF2工藝初始良率高于預(yù)期，搭載該工藝的Exynos 2600芯片試產(chǎn)良率已達到30%。

面對技術(shù)競賽的壓力，三星電子高層也表現(xiàn)出了堅定的決心。三星會長李在镕上月向高管們強調(diào)，要延續(xù)三星重視技術(shù)的傳統(tǒng)，并表示要以前所未有的技術(shù)引領(lǐng)未來。這一表態(tài)無疑為三星在先進制程技術(shù)研發(fā)上注入了強大的動力。