英特爾新任首席執(zhí)行官陳立武在近期于美國加州圣何塞舉辦的Intel Foundry Direct Connect 2025活動中，向公眾展示了公司在晶圓代工業(yè)務(wù)方面的最新進展。

在活動中，陳立武透露了一個振奮人心的消息：公司正在與多家潛在客戶進行深入溝通，準備推出全新的14A工藝節(jié)點（相當(dāng)于1.4納米），這一技術(shù)將作為18A工藝節(jié)點的后續(xù)升級版本。

他進一步表示，英特爾已經(jīng)吸引了幾個重要客戶參與14A測試芯片的研發(fā)。這些測試芯片將搭載英特爾最新研發(fā)的PowerDirect背面電源傳輸技術(shù)，該技術(shù)有望大幅提升芯片的性能和能效。

關(guān)于18A工藝節(jié)點，陳立武也給出了積極的進展報告。他指出，目前18A節(jié)點已經(jīng)順利進入風(fēng)險生產(chǎn)階段，并預(yù)計在今年晚些時候進入大規(guī)模量產(chǎn)。這一消息無疑為英特爾在先進制程技術(shù)上的領(lǐng)先地位再添一份保障。

陳立武還透露了18A-P（即18A節(jié)點的性能版本）的最新進展。他表示，目前18A-P已經(jīng)在晶圓廠中成功運行，并已經(jīng)生產(chǎn)出早期的晶圓。這一消息進一步增強了市場對英特爾在先進制程技術(shù)上的信心。

除了14A和18A節(jié)點外，英特爾還在積極研發(fā)新的18A-PT版本。這一版本將支持Foveros Direct 3D技術(shù)，采用混合鍵合互連，使得英特爾能夠在其最先進的節(jié)點上實現(xiàn)晶圓的垂直堆疊。這一技術(shù)的發(fā)展對于提升芯片的性能和容量具有重要意義。

Foveros Direct 3D技術(shù)還使得英特爾能夠與競爭對手臺積電在功能上相媲美。最典型的例子就是AMD的3D V-Cache產(chǎn)品，而英特爾在關(guān)鍵互連密度測量方面的實現(xiàn)也達到了與臺積電相當(dāng)?shù)乃健?/p>

在成熟節(jié)點方面，英特爾也取得了顯著的進展。目前，公司已經(jīng)成功量產(chǎn)了首個16nm晶圓，并與聯(lián)電合作開發(fā)12nm節(jié)點。這一合作不僅有助于提升英特爾在成熟節(jié)點上的產(chǎn)能和效率，還將為客戶提供更多樣化的選擇。