近期，三星電子在NAND Flash閃存技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破，成功研發(fā)出400層堆疊技術(shù)，并正緊鑼密鼓地推進該技術(shù)向大規(guī)模生產(chǎn)的轉(zhuǎn)移。這一消息無疑為全球存儲市場注入了新的活力。

據(jù)悉，三星此次的400層堆疊NAND Flash閃存技術(shù)，不僅在層數(shù)上實現(xiàn)了飛躍，更在性能與容量上帶來了顯著提升。此前，SK海力士已宣布量產(chǎn)321層NAND Flash，而三星的此番突破，無疑將這一領(lǐng)域的競爭推向了新的高度。

三星計劃在2025年舉辦的國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，詳細展示其1Tb容量的400層堆疊TLC NAND Flash閃存。同時，公司預(yù)計在2025年下半年正式開啟該產(chǎn)品的量產(chǎn)。市場專家分析認為，若一切順利，量產(chǎn)時間有可能會提前至2025年第二季度末。

不僅如此，三星在先進內(nèi)存產(chǎn)品線上的布局也頗為引人關(guān)注。公司在平澤園區(qū)新建了第9代（286層堆疊）NAND Flash閃存生產(chǎn)設(shè)施，該設(shè)施月產(chǎn)能將達到30000至40000片晶圓。位于中國西安的工廠也將迎來升級，原有的128層堆疊（V6）NAND Flash閃存生產(chǎn)線將轉(zhuǎn)換為236層堆疊（V8）NAND Flash閃存產(chǎn)品制程。

在全球NAND Flash閃存市場中，三星一直占據(jù)著舉足輕重的地位，其市占率高達36.9%。面對SK海力士等競爭對手的強勁勢頭，三星此次的技術(shù)突破無疑為其在全球市場的競爭中增添了更多籌碼。

三星此次在NAND Flash閃存技術(shù)上的突破，不僅展示了其在存儲技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累，更為全球存儲市場的發(fā)展注入了新的活力。隨著技術(shù)的不斷升級和產(chǎn)量的逐步提升，三星有望在全球NAND Flash閃存市場中占據(jù)更加重要的地位。