近期，三星電子在NAND Flash閃存技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破，成功研發(fā)出400層堆疊技術(shù)，并正緊鑼密鼓地推進(jìn)該技術(shù)向大規(guī)模生產(chǎn)的轉(zhuǎn)移。這一消息無(wú)疑為全球存儲(chǔ)市場(chǎng)注入了新的活力。

據(jù)悉，三星此次的400層堆疊NAND Flash閃存技術(shù)，不僅在層數(shù)上實(shí)現(xiàn)了飛躍，更在性能與容量上帶來(lái)了顯著提升。此前，SK海力士已宣布量產(chǎn)321層NAND Flash，而三星的此番突破，無(wú)疑將這一領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)推向了新的高度。

三星計(jì)劃在2025年舉辦的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，詳細(xì)展示其1Tb容量的400層堆疊TLC NAND Flash閃存。同時(shí)，公司預(yù)計(jì)在2025年下半年正式開(kāi)啟該產(chǎn)品的量產(chǎn)。市場(chǎng)專(zhuān)家分析認(rèn)為，若一切順利，量產(chǎn)時(shí)間有可能會(huì)提前至2025年第二季度末。

不僅如此，三星在先進(jìn)內(nèi)存產(chǎn)品線上的布局也頗為引人關(guān)注。公司在平澤園區(qū)新建了第9代（286層堆疊）NAND Flash閃存生產(chǎn)設(shè)施，該設(shè)施月產(chǎn)能將達(dá)到30000至40000片晶圓。位于中國(guó)西安的工廠也將迎來(lái)升級(jí)，原有的128層堆疊（V6）NAND Flash閃存生產(chǎn)線將轉(zhuǎn)換為236層堆疊（V8）NAND Flash閃存產(chǎn)品制程。

在全球NAND Flash閃存市場(chǎng)中，三星一直占據(jù)著舉足輕重的地位，其市占率高達(dá)36.9%。面對(duì)SK海力士等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的強(qiáng)勁勢(shì)頭，三星此次的技術(shù)突破無(wú)疑為其在全球市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)中增添了更多籌碼。

三星此次在NAND Flash閃存技術(shù)上的突破，不僅展示了其在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累，更為全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的發(fā)展注入了新的活力。隨著技術(shù)的不斷升級(jí)和產(chǎn)量的逐步提升，三星有望在全球NAND Flash閃存市場(chǎng)中占據(jù)更加重要的地位。