近日，銀川經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)發(fā)布了一項(xiàng)重要科技成果的消息。3月15日，由中國電工技術(shù)學(xué)會(huì)主導(dǎo)，寧夏超導(dǎo)泛半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司作為主要組織者，在銀川成功舉辦了“高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備、技術(shù)及應(yīng)用科技成果鑒定會(huì)”。

此次鑒定會(huì)匯聚了眾多科技領(lǐng)域的專家，其中，中國科學(xué)院院士甘子釗擔(dān)任專家委員會(huì)主席。經(jīng)過深入評(píng)估，專家委員會(huì)對(duì)項(xiàng)目給予了高度評(píng)價(jià)，認(rèn)為該項(xiàng)目不僅突破了傳統(tǒng)磁拉單晶技術(shù)的限制，還成功解決了硅單晶生長過程中多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的難題。這一成果填補(bǔ)了我國在高端硅晶體制造領(lǐng)域的多項(xiàng)空白，綜合性能已達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

據(jù)了解，高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備及技術(shù)的關(guān)鍵在于引入了高溫超導(dǎo)磁體技術(shù)。寧夏超導(dǎo)泛半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司的科研團(tuán)隊(duì)，針對(duì)高品質(zhì)大尺寸硅單晶生長的技術(shù)瓶頸，成功研制出了這一裝備。該裝備和技術(shù)不僅可以將硅片含氧量穩(wěn)定控制在5ppma以下，還使得硅棒頭尾的利用率提升了4%以上，生產(chǎn)效率提高了12%。目前，已經(jīng)成功拉制出直徑達(dá)到340毫米的高品質(zhì)硅棒。

銀川經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)表示，大尺寸硅單晶長棒的快速、高穩(wěn)定性、低含氧量的生長，對(duì)于解決大尺寸（12英寸以上）高品質(zhì)硅單晶的低成本、規(guī)模化生產(chǎn)具有重要意義。這不僅有助于全產(chǎn)業(yè)鏈的降本增效，還能推動(dòng)技術(shù)迭代升級(jí)。項(xiàng)目報(bào)告顯示，寧夏超導(dǎo)泛半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司的這項(xiàng)技術(shù)，已經(jīng)在實(shí)際應(yīng)用中取得了顯著成效。

甘子釗院士在鑒定會(huì)上指出：“這是國際上首次將高溫超導(dǎo)技術(shù)應(yīng)用于磁控直拉單晶生長，為高溫超導(dǎo)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展做出了開創(chuàng)性的貢獻(xiàn)，開辟了超導(dǎo)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的新方向。”這一評(píng)價(jià)無疑是對(duì)項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)辛勤付出的高度認(rèn)可和肯定。

此次科技成果的取得，不僅標(biāo)志著我國在高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備及技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破，也預(yù)示著我國在高端硅晶體制造領(lǐng)域?qū)碛懈訌V闊的發(fā)展空間和前景。