近期，韓國媒體ETNews披露了一則關(guān)于SK海力士在高性能內(nèi)存領(lǐng)域取得重大進展的消息。據(jù)悉，SK海力士第六代12層堆疊高帶寬內(nèi)存HBM4的測試良率已成功攀升至70%，這一成就不僅標(biāo)志著其即將邁入量產(chǎn)階段，也預(yù)示著SK海力士在HBM4市場的激烈競爭中搶占了先機。

作為半導(dǎo)體行業(yè)中衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，良率的提升對于增強企業(yè)的市場競爭力至關(guān)重要。回顧2024年底，SK海力士的12層堆疊HBM4良率還僅為60%，而僅僅數(shù)月之后，這一數(shù)字便躍升至70%，其進步速度之快令人矚目。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，SK海力士在HBM4技術(shù)上的迅猛進展，很大程度上得益于其第五代10nm級DRAM（1b）技術(shù)的成功應(yīng)用。這一技術(shù)不僅經(jīng)過嚴(yán)格的性能和穩(wěn)定性驗證，還被廣泛應(yīng)用于SK海力士的HBM3e產(chǎn)品中，為其積累了寶貴的經(jīng)驗和技術(shù)儲備。

值得注意的是，SK海力士的HBM3e產(chǎn)品曾實現(xiàn)高達80%的目標(biāo)良率，并顯著縮短了50%的量產(chǎn)時間。基于這一成功經(jīng)驗，業(yè)內(nèi)人士普遍預(yù)測，HBM4 12層堆疊產(chǎn)品也將迅速步入量產(chǎn)階段。目前，SK海力士已完成內(nèi)部技術(shù)的全面開發(fā)和評估工作，正準(zhǔn)備向客戶提供樣品進行性能測試，一旦測試通過，量產(chǎn)工作將隨即啟動。

SK海力士的12層堆疊HBM4有望被部署在英偉達即將推出的下一代AI加速器“Grace Hopper”系列中。據(jù)悉，英偉達計劃將“Grace Hopper”系列的量產(chǎn)時間提前至2025年下半年。這一消息無疑為SK海力士加快提升HBM4良率和推進量產(chǎn)進程提供了強大的動力，以滿足英偉達等客戶對于高性能內(nèi)存的迫切需求。

隨著SK海力士在HBM4技術(shù)上的不斷突破，其在高性能內(nèi)存市場的地位將進一步鞏固。未來，SK海力士將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，以滿足市場對于高性能、高穩(wěn)定性內(nèi)存產(chǎn)品的日益增長需求。