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三星2028年將推LPW DRAM:為端側AI優化,速度大漲166%!

   時間:2025-02-19 12:02 來源:ITBEAR作者:陸辰風

在最新的科技動態中,三星電子DS部門的首席技術官Song Jai-hyuk于美國加州舊金山舉行的IEEE ISSCC 2025國際固態電路會議上發表了一項重要聲明。據韓媒SEDaily現場報道,Song透露,三星計劃在2028年推出一款專為設備端AI應用設計的LPW DRAM內存產品。

LPW DRAM,即LPDDR Wide-IO內存的簡稱,是一種專為移動設備設計的內存產品。與LPDDR內存相比,LPWDRAM具有更寬的I/O位寬,它通過增加I/O通道數量并降低每個通道的數據傳輸速率,來實現高帶寬與低功耗的雙重優勢。

在結構層面,LPW DRAM也進行了大膽的創新。三星采用了結合RDL(重布線層)的垂直引線鍵合技術,取代了傳統的引線鍵合方式。這一改變不僅使得封裝尺寸大大減小,還顯著提升了能效表現。

據三星電子介紹,LPW DRAM的帶寬將超過200GB/s,與現有的LPDDR5x內存相比,帶寬提升了高達166%。同時,其功耗也顯著降低至1.9 pJ / bit,比LPDDR5x低了54%。這一突破性的進步,無疑將為設備端AI應用提供更加高效、可靠的內存支持。

隨著AI技術在移動設備中的廣泛應用,對于高性能、低功耗內存的需求日益增長。LPW DRAM的推出,將有望滿足這一市場需求,進一步推動AI技術在移動設備中的普及與發展。

 
 
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