近期，韓國(guó)媒體SEDaily發(fā)布了一則關(guān)于三星電子的最新研發(fā)進(jìn)展。據(jù)悉，三星在其內(nèi)部研發(fā)機(jī)構(gòu)已經(jīng)成功完成了4XX層第10代3D V-NAND閃存的開(kāi)發(fā)工作。這一技術(shù)的研發(fā)成果，標(biāo)志著三星在閃存技術(shù)領(lǐng)域又邁出了重要的一步。

據(jù)了解，這款新開(kāi)發(fā)的4XX層第10代3D V-NAND閃存，采用了先進(jìn)的晶圓鍵合技術(shù)，其存儲(chǔ)密度高達(dá)28 Gb/mm2，同時(shí)I/O引腳速率也達(dá)到了5.6Gb/s。三星電子計(jì)劃在2025年的IEEE ISSCC國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，正式向外界介紹這一創(chuàng)新產(chǎn)品。據(jù)透露，該產(chǎn)品的具體型號(hào)為1Tb TLC NAND。

對(duì)于這一新技術(shù)的量產(chǎn)進(jìn)度，三星電子也在積極推進(jìn)。據(jù)悉，從上個(gè)月開(kāi)始，三星已經(jīng)將該技術(shù)轉(zhuǎn)移至位于平澤的1號(hào)工廠量產(chǎn)線上。然而，量產(chǎn)并非易事，特別是在開(kāi)發(fā)階段的良率僅為10%~20%的情況下，要達(dá)到量產(chǎn)的門(mén)檻——60%的良率，還需要付出更多的努力。

韓媒SEDaily分析認(rèn)為，三星的第10代V-NAND閃存將采用三堆棧結(jié)構(gòu)，這有望進(jìn)一步提升其性能和穩(wěn)定性。盡管在量產(chǎn)前還面臨諸多挑戰(zhàn)，但三星電子正全力以赴，在量產(chǎn)線上不斷提升第10代V-NAND的良率。如果一切順利，三星有望在2025年下半年獲得PRA量產(chǎn)就緒許可，并最快在明年二季度末進(jìn)入量產(chǎn)階段。

三星電子在NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)先地位已經(jīng)得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)的數(shù)據(jù)，三星電子在2024年三季度繼續(xù)蟬聯(lián)全球第一大NAND閃存原廠。為了進(jìn)一步鞏固這一領(lǐng)先地位，三星不僅在研發(fā)上不斷投入，還在積極擴(kuò)充先進(jìn)產(chǎn)能。

據(jù)透露，三星計(jì)劃明年在平澤P4工廠新增每月3~4萬(wàn)片晶圓的V9 NAND產(chǎn)能。同時(shí)，位于中國(guó)西安的工廠也在推進(jìn)制程升級(jí)工作，這將有助于提升三星的閃存產(chǎn)能和競(jìng)爭(zhēng)力。可以預(yù)見(jiàn)，在未來(lái)的NAND閃存市場(chǎng)中，三星電子將繼續(xù)保持其領(lǐng)先地位，為行業(yè)帶來(lái)更多的創(chuàng)新和突破。