近期，長鑫存儲在內存領域的一系列動作引起了業界的廣泛關注。繼DDR5內存低調面世后，公司又在第二代HBM2高帶寬內存技術上取得了重大進展。

據知情人士透露，長鑫存儲在DDR4內存的初期生產階段，良品率曾徘徊在20%-30%之間，但經過不斷的技術改進和工藝優化，良品率已提升至90%的成熟水平。這一成功經驗為DDR5內存的研發和生產奠定了堅實基礎。

與DDR4相比，長鑫DDR5內存的良品率從一開始就表現不俗，達到了40%，目前更是穩定在80%左右。公司仍在持續優化生產工藝，預計在未來一年內，良品率有望進一步提升至90%左右。這一進步不僅提升了產品的市場競爭力，也彰顯了長鑫存儲在內存技術領域的深厚實力。

長鑫存儲在合肥擁有兩座先進的內存工廠。其中，Fab 1工廠主要負責DDR4內存的生產，采用19nm工藝，月產能約為10萬片晶圓。而Fab 2工廠則專注于DDR5內存的生產，采用更先進的17nm工藝，目前月產能已達5萬片晶圓，并仍在持續提升中。據預測，到明年，Fab 2的月產能有望實現翻番。然而，面對三星、SK海力士等競爭對手已升級至12nm工藝的DDR5內存，長鑫存儲仍有較大的工藝提升空間。

除了DDR5內存外，長鑫存儲還在積極推進HBM高帶寬內存的研發和生產。一方面，公司不斷提升一代HBM內存的產能；另一方面，二代HBM2內存已取得重大技術突破，目前正在給客戶送樣測試，預計明年年中可實現小規模量產。盡管國際市場上已有三大原廠量產HBM3、HBM3E，并即將推出HBM4，但對于長鑫存儲而言，成功研發并量產HBM2仍具有里程碑式的意義。這不僅有助于提升公司在內存技術領域的競爭力，更對國產化AI硬件的發展至關重要。例如，華為昇騰910系列加速器就高度依賴HBM2內存。

為了推進HBM2內存的研發和生產，長鑫存儲從今年第三季度開始積極采購先進的生產設備，并引入更先進的封裝技術，如TSV、KGSD等。這些技術的引入和應用，將進一步提升HBM2內存的性能和可靠性，為公司贏得更多市場份額。