近日，泛林集團(tuán)（Lam Research）在其位于美國加州的總部發(fā)布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破。該集團(tuán)宣布，其研發(fā)的干式光刻膠技術(shù)已經(jīng)成功通過了imec的嚴(yán)格認(rèn)證，這一技術(shù)能夠在邏輯半導(dǎo)體后道工藝（即BEOL，互聯(lián)層制作）中，直接實(shí)現(xiàn)28nm間距的圖案化，且完全滿足2nm及以下先進(jìn)制程的嚴(yán)苛需求。

在傳統(tǒng)先進(jìn)制程領(lǐng)域，濕式旋涂光刻膠基于化學(xué)放大原理，一直是主流選擇。然而，泛林集團(tuán)的干式光刻膠技術(shù)則采用了截然不同的路徑，它是通過氣相沉積小于0.5nm的金屬有機(jī)微粒單元來形成的。這一創(chuàng)新技術(shù)不僅挑戰(zhàn)了現(xiàn)有的光刻膠制備方式，更在性能上實(shí)現(xiàn)了顯著提升。

據(jù)泛林集團(tuán)介紹，其干式光刻膠具備出色的光子捕獲能力，且光刻膠層的厚度調(diào)控更為精確。在實(shí)際應(yīng)用中，這種新型光刻膠能夠有效解決EUV光刻領(lǐng)域中的兩大難題：曝光劑量和缺陷率。與濕化學(xué)光刻膠相比，干式光刻膠還更加環(huán)保，有助于推動(dòng)半導(dǎo)體制造行業(yè)的綠色發(fā)展。

光刻流程從涂膠到最終制得圖案，每一步都至關(guān)重要。泛林集團(tuán)的干式光刻膠技術(shù)在這一流程中展現(xiàn)出了卓越的性能。目前，該技術(shù)已在0.33（Low）NA EUV光刻機(jī)上得到了驗(yàn)證，未來還有望擴(kuò)展到即將投入使用的0.55（High）NA EUV光刻平臺(tái)上，為半導(dǎo)體制造行業(yè)帶來更加高效、精準(zhǔn)的解決方案。

此次泛林集團(tuán)干式光刻膠技術(shù)的成功認(rèn)證，標(biāo)志著半導(dǎo)體制造行業(yè)在光刻技術(shù)方面又邁出了重要一步。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和創(chuàng)新，我們有理由相信，未來的半導(dǎo)體制造將更加高效、環(huán)保，為科技的發(fā)展提供強(qiáng)有力的支撐。