科學界傳來新突破，一項由Lam Research、科羅拉多大學博爾德分校及美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）攜手研發的新型蝕刻工藝近日曝光。這項創新技術運用氟化氫等離子體，成功將硅材料垂直通道的蝕刻效率翻倍，僅需短短一分鐘，便能完成640納米的蝕刻作業。

該技術的核心在于，通過氧化硅與氮化硅的交替層上精準打孔，并將這些分層材料暴露于等離子體形態的化學物質中。等離子體中的原子與分層材料原子間的相互作用，催生了高效的孔洞通道。這一步驟不僅簡化了傳統蝕刻工藝的復雜性，還極大提升了效率。

研究人員進一步發現，通過引入三氟化磷等特定化學材料，蝕刻工藝的性能得以進一步優化。不過，他們也指出，在某些條件下，蝕刻過程中產生的副產品可能會對效率造成干擾。幸運的是，這一問題通過添加適量的水便迎刃而解。特別是在低溫條件下，水的加入能有效促使鹽分解，加速整體進程。