德國鐵電存儲器公司（FMC）與半導體巨頭Neumonda近日宣布了一項重大戰略合作，計劃在德國德累斯頓打造一條先進的非易失性存儲芯片（FeRAM）生產線。這一舉措標志著自2009年英飛凌與奇夢達的德國DRAM工廠關閉后，歐洲大陸首次重啟存儲芯片本土化生產的嘗試。

此次合作的基石是FMC獨創的“DRAM+”技術，它突破了傳統FeRAM的存儲限制。通過采用10納米以下制程兼容的鉿氧化物（HfO?）作為鐵電層，取代了傳統的鋯鈦酸鉛PZT材料，使得存儲容量從以往的4-8MB躍升至Gb至GB級別，同時保留了斷電數據不丟失的特性。FeRAM，作為一種隨機存取存儲器技術，其鐵電性材料層替代了常規介電質，賦予了它非揮發性內存的功能。

FMC的首席執行官Thomas Rueckes對這一技術革新充滿信心：“鉿氧化物的鐵電效應成功地將DRAM電容轉變為非易失性存儲單元，不僅保持了高性能，還實現了低功耗，這對于滿足AI運算對持久內存的高需求尤為關鍵。”

為了將這一創新技術從研發推向量產，FMC與Neumonda將共同利用Neumonda開發的Rhinoe、Octopus、Raptor三大測試系統，構建一個涵蓋研發至量產的完整產業鏈。

Neumonda的首席執行官Peter Poechmueller對此次合作寄予厚望：“我們的長遠目標是重振德國的存儲芯片產業，而此次與FMC的合作無疑是朝著這一目標邁出的重要一步。這不僅是對技術創新的一次大膽嘗試，更是對歐洲半導體產業自給自足能力的一次有力提升。”