在近期舉辦的歐洲開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上，臺(tái)積電宣布了一項(xiàng)雄心勃勃的技術(shù)規(guī)劃，旨在進(jìn)一步推動(dòng)半導(dǎo)體封裝技術(shù)的邊界。據(jù)悉，該公司計(jì)劃在2027年推出一款名為“Super Carrier”的超大尺寸晶圓級(jí)封裝（CoWoS）技術(shù)，該技術(shù)預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)光罩尺寸的大幅躍升，達(dá)到現(xiàn)有尺寸的9倍之多，并支持最多12個(gè)HBM4內(nèi)存堆疊。

臺(tái)積電一直以來(lái)都是半導(dǎo)體工藝技術(shù)創(chuàng)新的引領(lǐng)者，每年都會(huì)推出新技術(shù)以滿足客戶對(duì)功耗、性能和面積（PPA）的不斷改進(jìn)需求。然而，隨著高性能計(jì)算領(lǐng)域的快速發(fā)展，即便是當(dāng)前最先進(jìn)的EUV光刻工具所支持的光罩尺寸（858平方毫米），也已逐漸難以滿足部分高端客戶的需求。

為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，臺(tái)積電早在2016年就推出了初代CoWoS封裝方案，該方案在當(dāng)時(shí)已經(jīng)能夠支持約1.5倍的光罩尺寸。經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)迭代和升級(jí)，如今的CoWoS技術(shù)已經(jīng)能夠支持3.3倍的光罩尺寸，并成功封裝了8個(gè)HBM3堆棧。這一顯著的進(jìn)步不僅提升了芯片的集成度和性能，也為高端計(jì)算應(yīng)用提供了更為強(qiáng)大的支持。

在此基礎(chǔ)上，臺(tái)積電再次邁出了重要一步。根據(jù)公司的規(guī)劃，在2025至2026年期間，他們將進(jìn)一步升級(jí)CoWoS技術(shù)，使其能夠支持5.5倍的光罩尺寸，并達(dá)到最高12個(gè)HBM4內(nèi)存堆疊的封裝能力。這一技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，將再次刷新半導(dǎo)體封裝技術(shù)的記錄，為未來(lái)的高性能計(jì)算應(yīng)用提供更加堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

而到了2027年，臺(tái)積電更是計(jì)劃推出其“Super Carrier”超大尺寸CoWoS封裝方案。這一方案將實(shí)現(xiàn)光罩尺寸的9倍增長(zhǎng)，為芯粒和內(nèi)存提供高達(dá)7722平方毫米的廣闊空間。這一技術(shù)的推出，無(wú)疑將再次引領(lǐng)半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展潮流，為未來(lái)的芯片設(shè)計(jì)和制造帶來(lái)前所未有的可能性。