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三星HBM3E內存供貨英偉達遇阻,2025年能否如愿?

   時間:2024-12-12 18:15 來源:ITBEAR作者:陸辰風

近期,有關三星電子與英偉達在高端內存供應方面的合作遇到了挑戰。據可靠消息,三星電子提交的8層和12層堆疊HBM3E內存樣品,未能達到英偉達嚴格的性能標準,這導致原計劃在2024年內實現正式供貨的希望變得渺茫。

自2023年10月以來,三星電子一直在向英偉達提供HBM3E內存樣品進行質量測試。然而,經過長達一年多的時間,認證過程并未取得顯著的進展。這一消息無疑給業界帶來了不小的震動,因為三星電子一直是半導體領域的領軍企業之一。

據知情人士透露,SK海力士在HBM3E技術上已經取得了顯著的進展,并設定了性能參數標準,目前在這一領域領先于三星電子。具體而言,三星電子的HBM3E內存樣品在發熱和功耗等關鍵性能參數上未能滿足英偉達的要求,這成為阻礙雙方合作的關鍵因素。

這一挫折對三星電子來說無疑是一個打擊,因為在HBM3E領域,競爭對手已經取得了領先地位。然而,三星電子并未因此放棄。據悉,公司計劃在2025年第一季度重新開始向英偉達等大客戶供應HBM3E內存。同時,三星電子還在積極研發下一代HBM4工藝,期望通過這一新技術重新獲得競爭優勢。

盡管面臨當前的困境,但三星電子在半導體行業的深厚底蘊和技術實力仍然不容小覷。未來,隨著新技術的不斷推出和市場的不斷變化,三星電子有望在HBM內存領域重新找回自己的位置。

 
 
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