近日，備受矚目的2025 IEEE ISSCC國際固態(tài)電路會議日程在ISSCC官網(wǎng)上正式揭曉，這一科技界的盛會將于明年2月16日至20日在美國加利福尼亞州的舊金山盛大召開。

在會議的高光時(shí)刻——17日的全體會議上，四位業(yè)界領(lǐng)袖將登臺發(fā)表精彩演講。其中，英特爾的首席執(zhí)行官帕特·基辛格將深入探討人工智能領(lǐng)域的多層次技術(shù)創(chuàng)新，而三星電子的存儲器業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人李禎培則將聚焦AI存儲器的最新發(fā)展趨勢。

會議日程中，SRAM、非易失性存儲與DRAM的專題研討會備受關(guān)注，它們均安排在2月19日進(jìn)行。臺積電將在此次研討會上展示其采用2nm Nanosheet制程的SRAM，存儲密度高達(dá)38.1 Mb/mm2，這一成果令人矚目。同時(shí)，英特爾也將展示其采用BSPDN背面供電設(shè)計(jì)的Intel 18A RibbonFET工藝高密度SRAM，展現(xiàn)了其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

在非易失性存儲與DRAM領(lǐng)域，各大廠商同樣帶來了令人期待的成果。三星電子將展示其采用晶圓鍵合技術(shù)的4XX層堆疊1Tb容量3D TLC NAND，存儲密度高達(dá)28Gb/mm2，I/O引腳速率更是達(dá)到了5.6Gb/s，預(yù)計(jì)這將是其第10代V-NAND的代表作。而鎧俠-西部數(shù)據(jù)聯(lián)盟則推出了I/O引腳速率為4.8Gb/s的1Tb 3D TLC NAND，其讀取操作能效提升了29%。

在GDDR7方面，三星電子也展示了其最新成果——42.5Gbps的24Gb產(chǎn)品，這與此前宣布成功開發(fā)的型號相契合。三星電子還將展出其第5代10nm級（1bnm、12nm級）工藝的超高速16Gb LPDDR5-Ultra-Pro DRAM，I/O引腳速率高達(dá)12.7Gb/s，進(jìn)一步提升了存儲性能。

SK海力士同樣不甘示弱，帶來了321層（V9）2Tb QLC NAND，其編程吞吐量高達(dá)75MB/s，這一堆疊數(shù)量和單元結(jié)構(gòu)的閃存產(chǎn)品此前已在FMS 2024展會上亮相。SK海力士還與鎧俠合作開發(fā)了新型64Gb DDR4 STT-MRAM，該存儲器件結(jié)合了交叉點(diǎn)存儲和磁隧道節(jié)結(jié)構(gòu)，為存儲領(lǐng)域帶來了新的突破。