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蘋(píng)果iPhone 18 Pro將搭載臺(tái)積電2nm芯片,性能大幅提升

   時(shí)間:2025-03-21 16:12 來(lái)源:ITBEAR作者:趙云飛

近期,有關(guān)蘋(píng)果下一代旗艦產(chǎn)品iPhone 18 Pro的硬件配置信息浮出水面,引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。據(jù)知名分析師Jeff Pu的最新爆料,這款備受期待的智能手機(jī)將搭載由臺(tái)積電基于其先進(jìn)的2nm制程技術(shù)打造的A20芯片。

臺(tái)積電在新竹寶山工廠已經(jīng)啟動(dòng)了2nm工藝的試產(chǎn)流程,標(biāo)志著這一尖端技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程邁出了關(guān)鍵一步。據(jù)悉,該項(xiàng)目的初期良率表現(xiàn)亮眼,達(dá)到了60%的水平,這為后續(xù)的大規(guī)模量產(chǎn)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。預(yù)計(jì)臺(tái)積電將在2025年下半年正式進(jìn)入2nm芯片的批量生產(chǎn)階段。

臺(tái)積電公布的詳細(xì)資料顯示,2nm制程技術(shù)相較于當(dāng)前的工藝制程,在相同電壓條件下能夠?qū)崿F(xiàn)顯著的功耗降低,降幅在24%至35%之間。同時(shí),這一技術(shù)還能帶來(lái)大約15%的性能提升。2nm制程的晶體管密度相較于上一代3nm工藝有了大幅提升,提高了約1.15倍。這些卓越的性能改進(jìn)主要得益于臺(tái)積電創(chuàng)新的全環(huán)繞柵極(GAA)納米片晶體管技術(shù),以及N2 NanoFlex設(shè)計(jì)技術(shù)的協(xié)同優(yōu)化,還有其他一系列增強(qiáng)功能的加入。

這一系列技術(shù)革新不僅提升了芯片的性能和效率,也為未來(lái)的智能手機(jī)、高性能計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供了強(qiáng)大的動(dòng)力。隨著臺(tái)積電2nm制程技術(shù)的逐步成熟和量產(chǎn),我們有理由期待蘋(píng)果iPhone 18 Pro將帶來(lái)前所未有的使用體驗(yàn)。

 
 
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