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三星V10 NAND或采用長江存儲專利,存儲行業合作新動向?

   時間:2025-02-24 18:08 來源:ITBEAR作者:沈瑾瑜

近期,存儲行業的競爭愈發激烈,促使NAND技術不斷取得突破。據韓媒ZDNet的最新報道,三星可能將在其下一代NAND閃存技術中,采用中國長江存儲的混合鍵合專利。

據悉,三星計劃于2025年下半年啟動大規模生產其V10(第10代)NAND閃存。這款新型NAND預計將達到約420至430層的堆疊高度,標志著技術上的又一次飛躍。

報道進一步指出,三星與SK海力士正在與長江存儲就一項專利協議進行深入談判。這一消息無疑引起了業界的廣泛關注,因為長江存儲在閃存技術領域的創新已經取得了顯著成果。

長江存儲率先在閃存中引入了晶棧Xtacking技術,該技術通過獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路,為NAND閃存帶來了更高的I/O接口速度和更多的操作功能。這一創新加工方式的選擇,使得NAND閃存在性能上實現了顯著提升。

據知情人士透露,長江存儲在大約四年前就已經在該領域建立了強大的專利組合。而三星之前采用的NAND生產技術為COP(Cell on Peripheral),即將外圍電路放置在一個晶圓上,單元堆疊在其上方。然而,隨著堆疊層數的不斷增加,特別是當超過400層時,下層外圍電路所受的壓力增大,對可靠性造成了影響,因此急需尋找替代方案。

在混合鍵合專利方面,美國Xperi、長江存儲和臺積電占據了主導地位。三星認為,在下一代NAND閃存如V10、V11和V12的生產中,很難繞過這些現有專利。因此,選擇與長江存儲進行合作,成為了三星應對技術挑戰的重要策略。

這一合作不僅體現了三星對長江存儲技術實力的認可,也預示著存儲行業將迎來更加緊密的國際合作與技術交流。隨著NAND技術的不斷進步,存儲行業的未來充滿了無限可能。

 
 
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