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美光1γ DDR5內(nèi)存新突破:減少EUV使用,能否加速尖端DRAM量產(chǎn)?

   時間:2025-03-11 10:35 來源:ITBEAR作者:鐘景軒

在內(nèi)存技術(shù)的最新進(jìn)展中,美光公司(Micron)已經(jīng)成功地為英特爾(Intel)和AMD等客戶提供了1γ(gamma)DDR5的樣品,這一成就標(biāo)志著美光在行業(yè)內(nèi)率先實現(xiàn)了技術(shù)突破。

據(jù)韓媒chosun于近日報道,美光在交付的樣品中,采取了一種獨特的技術(shù)策略,即僅在樣品的一層中使用了極紫外光刻(EUV)設(shè)備。美光計劃通過減少EUV的使用,來加快尖端DRAM的量產(chǎn)速度。

美光公司選擇減少對EUV技術(shù)的依賴,轉(zhuǎn)而更多地采用成熟的氬氟浸沒式光刻(ArFi)工藝。據(jù)ASML的數(shù)據(jù)顯示,下一代深紫外光刻(DUV)系統(tǒng)使用193納米波長的氬氟激光,能夠?qū)崿F(xiàn)38納米特征尺寸的打印。而EUV光刻雖然使用13.5納米波長的光,具有更高的精度,但其成本也相應(yīng)更高。

美光方面表示,由于EUV技術(shù)尚未完全穩(wěn)定,因此公司僅在必要時才使用。這一策略在短期內(nèi)可能會提高量產(chǎn)速度,但從長期來看,可能會對芯片的良率和性能產(chǎn)生一定影響。

與美光不同,三星和SK海力士在DRAM技術(shù)的發(fā)展中更加依賴EUV層。自2020年起,三星在內(nèi)存生產(chǎn)中就開始采用EUV技術(shù),并計劃在其第6代10納米DRAM(1c)中應(yīng)用超過5個EUV層。SK海力士也在2021年引入了EUV設(shè)備,并計劃在下一代1c DRAM中采用類似的策略。

盡管美光通過減少對EUV的依賴可能在短期內(nèi)節(jié)省成本,但從長期來看,公司可能會面臨技術(shù)瓶頸。行業(yè)專家指出,ArFi工藝需要更多的步驟,這可能會導(dǎo)致良率下降。隨著EUV層數(shù)的增加,特別是超過三層后,技術(shù)難度將顯著提升。

美光的技術(shù)策略在行業(yè)內(nèi)引發(fā)了廣泛的關(guān)注和討論。一方面,美光通過減少EUV的使用,試圖在保持技術(shù)領(lǐng)先的同時,降低生產(chǎn)成本并提高量產(chǎn)速度。另一方面,這種策略也引發(fā)了對于芯片良率和性能的擔(dān)憂。

 
 
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