Intel在即將舉行的2024年IEEE國際電子器件會議（IEDM 2024）上，披露了一系列技術革新，預示著半導體行業即將迎來新的突破。
在材料科學領域，Intel推出了減成法釕互連技術，這項技術有望將芯片內部的線間電容降低多達25%，對改善芯片內部連接結構具有重大意義。這一進步為提升芯片性能和效率開辟了新路徑。
Intel代工部門還展示了一項針對先進封裝的異構集成方案，據稱能將芯片間的封裝速度提升百倍，實現前所未有的芯片間組裝速度。這一技術的突破，無疑將極大地加速高性能計算系統的開發進程。
Intel代工部門還揭秘了硅基RibbionFET CMOS技術和2D場效應晶體管的柵氧化層模塊，這些技術旨在通過微縮化提升設備性能，為半導體工藝的持續演進提供了有力支撐。
在300毫米氮化鎵（GaN）技術領域，Intel也取得了顯著進展。他們制造出了業界領先的高性能微縮增強型GaN MOSHEMT，這一成果有望通過減少信號損失和提高信號線性度，為功率器件和射頻器件等領域帶來性能上的飛躍。同時，基于襯底背部處理的先進集成方案，也為這些應用提供了更強的性能保障。
Intel代工部門還提出了三個關鍵的創新方向，旨在推動人工智能在未來十年向更高能效發展。首先，他們強調先進內存集成的重要性，以解決容量、帶寬和延遲方面的瓶頸問題。其次，混合鍵合技術的應用將優化互連帶寬，進一步提升系統性能。最后，模塊化系統及其相應的連接解決方案，將為構建更高效、更靈活的AI系統提供有力支持。
