浙江馳拓科技在國際微電子領域的頂級盛會上，公布了一項關于SOT-MRAM技術的重大突破，該成果成功克服了SOT-MRAM在大規模生產中的技術瓶頸。
馳拓科技的創新之處在于，他們首次提出了一種全新的無軌道垂直型SOT-MRAM器件結構，這種結構特別適合于大規模生產。該設計巧妙地將MTJ置于兩個底部電極之間，并允許進行過刻蝕，這一改變顯著增大了刻蝕窗口，進而簡化了刻蝕工藝，降低了生產難度。
得益于這一創新設計，SOT-MRAM器件在12英寸晶圓上的位元良率從原先的99.6%躍升至超過99.9%，滿足了大規模生產的嚴苛要求。該器件在性能上也表現出色，實現了2納秒的快速寫入速度，以及超過1萬億次的寫入/擦除操作次數（在測量時間范圍內），并展現出持續微縮的潛力。
SOT-MRAM作為一種高性能的非易失存儲技術，因其納秒級的寫入速度和理論上無限次的擦寫次數，被視為未來可能替代CPU各級緩存的優選方案。然而，傳統的器件制造工藝卻面臨著刻蝕良率低的難題，這嚴重阻礙了SOT-MRAM的大規模生產與應用。
馳拓科技的這一突破性成果，不僅解決了SOT-MRAM在大規模生產中遇到的挑戰，更為非易失存儲技術的未來發展奠定了堅實的基礎。這一創新不僅展示了中國在微電子領域的強大研發實力，也為全球存儲技術的發展貢獻了寶貴的力量。
