臺積電在新竹寶山工廠的2nm芯片試產工作已經拉開序幕，并取得了超出內部預期的成果。據知情人士透露，該批次的良率達到了60%，為后續的量產奠定了堅實的基礎。不僅如此，臺積電還計劃在明年上半年于高雄工廠啟動2nm芯片的試產流程。

在半導體制造業中，達到70%或更高的良率是批量生產芯片的關鍵指標。從臺積電目前的進展來看，他們有信心在2nm芯片大規模量產之前，將良率提升至滿足量產標準的水平。這一消息無疑為行業內外帶來了極大的振奮。

然而，隨著2nm技術的突破，其成本也隨之飆升。據悉，臺積電2nm晶圓的價格已經突破了3萬美元大關，相比之下，目前3nm晶圓的價格區間大約在1.85萬至2萬美元之間。這意味著，采用2nm工藝將帶來顯著的成本增加。

不過，值得注意的是，臺積電的實際訂單報價并非一成不變，而是受到多種因素的影響，包括具體客戶、訂單量以及可能的優惠政策等。因此，3萬美元的報價只能作為一個大致的參考數字。

回顧臺積電的發展歷程，從2004年發布90nm芯片至今，其晶圓報價已經經歷了多次大幅上漲。特別是在進入7nm、5nm制程時代后，報價更是突破了萬元大關，5nm晶圓的價格更是高達16000美元。而即使考慮到2023年6%的漲幅，這一價格趨勢依然十分明顯。

隨著高通、聯發科等芯片巨頭紛紛轉向3nm工藝制程，相關終端設備也迎來了一輪漲價潮。半導體業內人士指出，由于先進制程的報價居高不下，芯片廠商的成本壓力巨大，這很可能導致他們將成本壓力轉嫁給下游客戶或終端消費者。

在2nm制程節點上，臺積電首次采用了Gate-all-around FETs晶體管技術，并搭配了NanoFlex技術，為芯片設計人員提供了更加靈活多樣的標準元件選擇。據預計，與現有的N3E工藝相比，N2工藝在相同功率下性能將提升10%到15%，或者在相同頻率下功耗將下降25%到30%，同時晶體管密度也將提升15%。