在科技界的一次重量級對話中，美國國家發(fā)明家科學(xué)院院士及世界科學(xué)院院士盧志遠(yuǎn)，分享了他在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域的深度見解與卓越貢獻。盧志遠(yuǎn)，同時擔(dān)任旺宏電子總經(jīng)理、科技總監(jiān)以及欣銓科技股份有限公司董事長，他的科研生涯如同一部探索與創(chuàng)新的史詩。

盧志遠(yuǎn)院士的科研成就尤為突出，他榮獲了2025年未來科學(xué)大獎——數(shù)學(xué)與計算機科學(xué)獎，以表彰其在非易失性半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域的杰出貢獻。他的發(fā)明不僅將閃存技術(shù)的壽命從原先的1萬次擦寫提升至1億次以上，更推動了存儲技術(shù)的革命性進步。

在對話中，盧志遠(yuǎn)詳細(xì)闡述了閃存、硬盤與內(nèi)存之間的根本差異。他解釋道，硬盤基于電磁原理運作，內(nèi)存則是晶體管與電容器的結(jié)合，而閃存則通過特殊材料的晶體管，利用電子的有無來實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲。這一過程雖然較慢，但因其獨特的擦除機制——一次擦除一個區(qū)塊，使得閃存成為了一種高效的存儲介質(zhì)。

談及閃存技術(shù)的關(guān)鍵突破，盧志遠(yuǎn)強調(diào)了“自我修復(fù)”機制的重要性。他利用量子隧穿效應(yīng)進行寫入與擦除操作，并通過加熱使被撞歪的原子重新排列，恢復(fù)原狀，從而延長了閃存的使用壽命。這一創(chuàng)新技術(shù)被學(xué)術(shù)界譽為“永不損壞的閃存”，其背后的核心在于對材料細(xì)節(jié)的深刻理解和物理機制的精準(zhǔn)掌握。

盧志遠(yuǎn)的科研之路始于物理學(xué)，他對半導(dǎo)體材料的濃厚興趣引領(lǐng)他踏入了這一領(lǐng)域。在貝爾實驗室的工作經(jīng)歷，讓他深刻認(rèn)識到基礎(chǔ)研究與應(yīng)用轉(zhuǎn)化之間的緊密聯(lián)系。1989年，他主持的“次微米計劃”成功突破了集成電路行業(yè)的極限挑戰(zhàn)，將器件工藝推進至納米級別，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)。

對于基礎(chǔ)科學(xué)人才的培養(yǎng)，盧志遠(yuǎn)給予了高度評價。他認(rèn)為，中國在過去二三十年間對教育和科研的巨大投入，已經(jīng)培養(yǎng)出了一大批視野開闊、正值黃金階段的優(yōu)秀科研人才。在基礎(chǔ)研究和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用方面，中國都已展現(xiàn)出了強勁的競爭力。

盧志遠(yuǎn)還展望了半導(dǎo)體領(lǐng)域的未來趨勢。他指出，AI的快速發(fā)展對算力提出了更高要求，這推動了存算合一、3D堆疊等新方向的探索。同時，他也強調(diào)了材料與結(jié)構(gòu)根本性創(chuàng)新的重要性，認(rèn)為這是推動半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)進步的關(guān)鍵。

在對話中，盧志遠(yuǎn)還分享了自己的科研心得。他認(rèn)為，科研人員應(yīng)具備主動探索的習(xí)慣，不要急于尋找答案，而是要敢于提出問題。這種科研素養(yǎng)的培養(yǎng)，對于年輕科研人員來說至關(guān)重要。

盧志遠(yuǎn)的科研生涯和成就，不僅彰顯了他在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域的卓越貢獻，更為全球科技界樹立了榜樣。他的創(chuàng)新精神和對科學(xué)的執(zhí)著追求，將激勵著更多科研人員投身于科技創(chuàng)新的浪潮中。