近期，半導(dǎo)體行業(yè)傳來一則重要人事變動消息，前三星半導(dǎo)體研究中心系統(tǒng)封裝實驗室副總裁Jing-Cheng Lin已確認(rèn)離職。Jing-Cheng Lin在芯片領(lǐng)域擁有近二十年的豐富經(jīng)驗，其職業(yè)生涯的轉(zhuǎn)折點發(fā)生在兩年前，當(dāng)他決定離開深耕多年的臺積電，加入三星，專注于芯片封裝技術(shù)的革新。

Jing-Cheng Lin在臺積電的工作歷程可追溯至1999年，直至2017年，他在這家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商中積累了深厚的行業(yè)知識和技術(shù)實力。2022年，他選擇加入三星，這一決定正值三星加大對先進封裝技術(shù)投資力度、力圖構(gòu)建業(yè)界領(lǐng)先團隊之際。他的加入，無疑為三星在封裝技術(shù)的研發(fā)上增添了新的活力。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展，摩爾定律逐漸逼近物理極限，封裝技術(shù)的突破成為推動下一代芯片發(fā)展的關(guān)鍵。Jing-Cheng Lin在三星期間，專注于提升芯片封裝技術(shù)的水平，特別是在HBM4內(nèi)存封裝技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著成就。面對HBM3E市場上的競爭劣勢，三星將戰(zhàn)略重心轉(zhuǎn)向了HBM4，旨在通過這一技術(shù)的突破，在人工智能領(lǐng)域的競爭中占據(jù)領(lǐng)先地位。因此，Jing-Cheng Lin在HBM4項目上的貢獻對三星而言具有重大意義。

在三星任職期間，Jing-Cheng Lin不僅在HBM4項目上取得了顯著成果，還推動了其他先進封裝技術(shù)的發(fā)展。他在領(lǐng)英上確認(rèn)離職的消息時，也強調(diào)了自己在三星期間為先進封裝技術(shù)做出的貢獻，包括用于3D IC的混合銅鍵合技術(shù)以及HBM-16H的研發(fā)。這些技術(shù)的突破，為三星在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的發(fā)展注入了新的動力。

Jing-Cheng Lin的離職，無疑將對三星半導(dǎo)體研究中心系統(tǒng)封裝實驗室產(chǎn)生一定影響。然而，他在三星期間所取得的成就和推動的技術(shù)發(fā)展，將為三星在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的未來發(fā)展奠定堅實基礎(chǔ)。同時，他的離職也引發(fā)了業(yè)界對半導(dǎo)體行業(yè)人才流動和技術(shù)發(fā)展的關(guān)注和思考。