近日，國內領先的功率半導體綜合制造商士蘭微電子宣布，其位于廈門海滄區的重大投資項目——8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產線（一期）建設取得關鍵進展。該生產線總投資高達70億元，已于2月28日順利完成封頂儀式。

據士蘭微電子透露，公司正全力以赴，目標是在今年年底前實現一期生產線的初步通線，并計劃在明年第一季度正式投產。預計至2028年底，該生產線將具備年產42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片（晶圓）的生產能力。這一舉措將顯著增強士蘭微電子在高端功率半導體市場的競爭力。

士蘭微電子還透露了廈門8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線的二期規劃。二期項目投資規模將達到50億元，與一期項目合計，整體生產能力將達到每年72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片（晶圓）。這一龐大的投資計劃不僅展示了士蘭微電子對未來市場的堅定信心，也預示著公司在功率半導體領域將持續發力，不斷突破技術壁壘，提升市場份額。