半導體IP領域的創新企業M31円星科技近日宣布了一項重要進展。據悉，該公司的eUSB2 PHY IP在臺積電的2nm制程節點上已成功完成設計定案，而針對3nm節點的版本也已經順利通過了硅驗證。
eUSB2作為USB 2.0面向嵌入式應用的物理層修訂版本，其設計充分考慮了先進工藝節點對電壓的更低耐受性，因此在信號電壓上進行了調整，同時優化了能效表現。USB-IF還推出了eUSB2的改進版v2，將傳輸速度上限提升至接近USB 3.2 Gen 1的4.8 Gbps。
M31円星科技表示，其eUSB2 IP解決方案憑借其出色的性能和穩定性，已經贏得了多家全球領先的智能手機芯片制造商和AI圖像處理應用企業的青睞，并被廣泛應用于他們的產品中。
不僅如此，M31円星科技還在積極推進eUSB2V2 IP的開發工作，并著手布局臺積電的N3與N2制程技術。此舉旨在進一步擴展和完善其eUSB2解決方案平臺，以滿足市場對高性能、低功耗USB接口日益增長的需求。
隨著半導體技術的不斷進步和智能設備的廣泛應用，USB接口作為數據傳輸和充電的重要接口標準，其性能和穩定性對于用戶體驗至關重要。M31円星科技此次在eUSB2 IP方面的突破，無疑將為市場帶來更多高性能、低功耗的USB解決方案，推動整個行業的發展。
未來，隨著更多先進制程技術的引入和應用，M31円星科技將繼續發揮其在半導體IP領域的專業優勢，為市場帶來更多創新、高效的解決方案。
