【虎科技】3月26日消息，近日佳能公司在半導體制造技術上邁出了重要的一步，其納米壓印(NIL)技術已成功實現商業化，且在性能表現上逼近了阿斯麥的極紫外光(EUV)曝光裝置。

據日經報道，佳能的納米壓印技術以其獨特的圖案制造能力引起了業界的廣泛關注。該技術采用類似蓋章的方式，將納米級別的精細圖案刻印在掩膜上，再將其精準地轉印至晶圓上。這項技術能夠繪制出滿足5納米級半導體工藝要求的最小線寬為14納米的電路圖案，顯示出其在制造高精度圖案方面的卓越實力。

據虎科技了解，納米壓印技術不僅在圖案制造上表現出色，其能源消耗方面的優勢也尤為突出。與EUV曝光裝置相比，納米壓印裝置的耗電量僅為前者的十分之一，這得益于其相對簡單的制造工藝，無需使用高能耗的光源和復雜的反射鏡系統。這種顯著的節能特性使得納米壓印技術在長期運營中更具經濟性和環保性。

此外，佳能的納米壓印技術還在成本控制方面展現出明顯優勢。盡管具體價格信息尚未公開，但鑒于其裝置結構的相對簡潔，預計制造成本將低于EUV曝光裝置，這為其在市場上的推廣和普及提供了有力支持。

總的來說，佳能的納米壓印技術的商業化成功，不僅為半導體制造領域帶來了新的技術選擇，更以其出色的性能和經濟性，為行業的進一步發展注入了新的活力。