俄羅斯在高端半導體制造領域邁出了重要一步，近日宣布了其自主EUV光刻機研發(fā)計劃的具體路線圖。這項雄心勃勃的項目由俄羅斯科學院微結(jié)構(gòu)物理研究所的領軍人物Nikolay Chkhalo負責，旨在打造一款成本更低、生產(chǎn)更為便捷的EUV光刻機，以挑戰(zhàn)行業(yè)巨頭ASML的市場地位。

與ASML廣泛使用的13.5nm波長EUV光刻機不同，俄羅斯計劃采用11.2nm波長的激光光源。這一創(chuàng)新之舉預計能帶來20%的分辨率提升，同時簡化機器設計，并顯著降低光學元件的成本。然而，由于這一波長與現(xiàn)有EUV設備不兼容，俄羅斯必須從頭開始構(gòu)建一個全新的光刻生態(tài)系統(tǒng)，這無疑是一個漫長且復雜的挑戰(zhàn)，預計至少需要十年時間。

Chkhalo強調(diào)，11.2nm波長的選擇不僅帶來了技術(shù)上的優(yōu)勢，還顯著減少了光學元件的污染問題，從而延長了關鍵部件的使用壽命。俄羅斯的光刻機將采用硅基光阻劑，這種材料在更短的波長下能夠展現(xiàn)出更佳的性能，為芯片制造帶來質(zhì)的飛躍。

盡管俄羅斯EUV光刻機的光源功率僅為3.6千瓦，僅為ASML設備的37%，但其性能足以滿足小規(guī)模芯片生產(chǎn)的需求。這一特點使得俄羅斯的光刻機在特定市場領域具有潛在的競爭力，尤其是在對成本有嚴格控制要求的客戶群體中。

為了實現(xiàn)這一目標，俄羅斯需要在多個方面進行技術(shù)更新，包括電子設計自動化工具、光罩數(shù)據(jù)準備、光學鄰近校正以及分辨率增強技術(shù)等。這些關鍵制程的改進將確保俄羅斯的光刻機能夠在實際生產(chǎn)中達到預期的性能水平。