近期，半導(dǎo)體制造巨頭臺積電在北美技術(shù)研討會上分享了其下一代芯片制造技術(shù)的最新進(jìn)展，透露了關(guān)于2納米（N2）工藝及后續(xù)技術(shù)的詳細(xì)信息。

據(jù)悉，臺積電計劃在今年下半年正式投入量產(chǎn)其N2芯片。這是該公司首次采用全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管技術(shù)，標(biāo)志著臺積電在芯片制造技術(shù)上邁出了重要一步。N2工藝作為臺積電全新的工藝技術(shù)，采用了創(chuàng)新的納米片或環(huán)繞柵極設(shè)計，旨在進(jìn)一步提升芯片的性能和能效。

目前，臺積電的N3系列（即3納米工藝）已經(jīng)包含了量產(chǎn)的N3和N3E版本，并且還在規(guī)劃推出N3P、N3X、N3A以及N3C等多個衍生版本。而N2工藝作為臺積電下一代的核心技術(shù)，相較于前代技術(shù)，能夠在保持相同功耗的情況下實現(xiàn)10%-15%的速度提升，或者在保持相同速度的情況下降低20%-30%的功耗。與現(xiàn)有的N3E工藝相比，N2工藝的性能提升了10%-15%，功耗降低了25%-30%，同時晶體管密度也增加了15%。

臺積電還透露，N2工藝的晶體管性能已經(jīng)接近預(yù)期目標(biāo)，256Mb SRAM模塊的平均良率超過了90%。隨著N2工藝逐漸進(jìn)入量產(chǎn)階段，其工藝成熟度也將不斷提升。臺積電預(yù)計，在智能手機(jī)和高性能計算應(yīng)用的推動下，2納米技術(shù)的流片數(shù)量在投產(chǎn)初期將超過3納米和5納米技術(shù)。

在N2工藝的基礎(chǔ)上，臺積電還推出了N2P作為N2系列的進(jìn)一步優(yōu)化版本。N2P將在N2的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提升性能和功耗表現(xiàn)，并計劃于2026年投入生產(chǎn)。而在N2P之后，臺積電將進(jìn)入更為先進(jìn)的A16（即1.6納米）節(jié)點(diǎn)。

A16工藝的核心技術(shù)特點(diǎn)之一是采用了超級電軌架構(gòu)，也稱為背面供電技術(shù)。這種創(chuàng)新技術(shù)通過將供電網(wǎng)絡(luò)移至晶圓背面，釋放了更多的正面布局空間，從而提升了芯片的邏輯密度和整體效能。據(jù)臺積電介紹，與N2P相比，A16在相同電壓和設(shè)計條件下可以實現(xiàn)8%-10%的性能提升；在相同頻率和晶體管數(shù)量下，功耗則能降低15%-20%，密度提升范圍為1.07-1.10倍。A16工藝特別適合用于信號路由復(fù)雜且供電網(wǎng)絡(luò)密集的高性能計算（HPC）產(chǎn)品，計劃于2026年下半年開始量產(chǎn)。

臺積電表示，通過推出N2、N2P、A16及其相關(guān)衍生產(chǎn)品，將進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位，為未來的增長奠定堅實基礎(chǔ)。