近期，SK 海力士在臺積電舉辦的2025年北美技術論壇上大放異彩，展示了多款創新的DRAM內存產品，吸引了業界的廣泛關注。這些新品不僅涵蓋了前沿的HBM內存，還包括了標準的DIMM模組，展示了SK 海力士在內存技術領域的深厚底蘊。

在HBM內存方面，SK 海力士作為HBM領域的領航者，首次實現了16層鍵合技術。此次論壇上，他們推出了采用Advanced MR-MUF鍵合技術的16Hi HBM內存模型，這一技術突破進一步鞏固了SK 海力士在HBM市場的領先地位。

具體產品層面，SK 海力士展示了HBM3E和HBM4兩款實物產品。其中，HBM4內存采用了16Hi堆疊技術，單堆棧容量高達48GB，I/O速度達到了8.0Gbps，整體帶寬更是驚人地達到了2.0TB/s。HBM4的邏輯裸片部分采用了臺積電先進的制程工藝，進一步提升了產品的性能和穩定性。

在常規的DIMM模組方面，SK 海力士同樣帶來了豐富的產品組合。對于一般RDIMM，此次展出的產品速率均達到了8000MT/s，涵蓋了多款不同制程和容量的型號。其中，基于先進1c nm制程的RDIMM最高容量可達64GB；采用3DS鍵合堆疊技術的RDIMM容量更是達到了256GB；而采用較舊制程的RDIMM則提供了96GB的容量選擇。

針對先進服務器市場，SK 海力士還推出了三款速度可達12800MT/s的MRDIMM產品。這些產品包括標準板型、基于1c nm DRAM的64GB容量款式；同樣采用傳統板型但基于更舊制程的96GB容量型號；以及采用更高板型、容量可拓展至256GB的產品。這些產品不僅滿足了不同服務器場景的需求，還進一步提升了服務器的性能和穩定性。