近期，三星電子在先進制程技術方面取得了顯著進展。據韓媒chosun報道，三星電子的高管透露，其第二代3納米GAA（全環繞柵極）工藝已進入穩定階段，標志著這一技術距離量產更進一步。
此前，三星電子的Exynos 2500芯片研發曾受到晶圓代工事業部3納米制程良率問題的困擾，加之性能上相較于高通驍龍系列存在的差距，使得其移動應用處理器（AP）業務面臨嚴峻挑戰。Exynos 2500原本計劃搭載于Galaxy S25系列手機上，但受制于上述因素，其商業化進程一度受阻。
然而，最新的消息帶來了轉機。三星電子已經解決了3納米制程的良率問題，為Exynos 2500的順利應用掃清了障礙。盡管具體良率比例尚未透露，但這一突破無疑為三星在高端芯片市場的競爭增添了信心。
在談及3納米GAA工藝時，三星電子的高管表示，盡管在量產初期遇到了一些困難，但目前工藝已經穩定下來，量產只是時間問題。由于初期產量有限，Galaxy S25系列可能無法立即搭載這一先進技術，但另一款折疊屏手機系列——Galaxy Z Flip系列（包括Galaxy Z Flip7和Galaxy Z Flip FE）則有望成為首批搭載Exynos 2500芯片的產品。
三星電子內部也進行了積極的調整。此前，晶圓代工事業部和系統LSI事業部在Exynos 2500商業化進程中存在互相推諉責任的情況。但現在，為了穩定3納米GAA工藝，兩個部門已經達成了合作協議，將最大限度地加強合作，共同推進新技術的商用化進程。
這一系列的進展不僅展示了三星電子在先進制程技術方面的實力，也為其在未來的市場競爭中奠定了堅實的基礎。隨著3納米GAA工藝的逐步穩定，三星電子有望在全球芯片市場占據更加重要的位置。
