中國科學院近期在激光科技領域取得了引人注目的進展，成功研制出一款新型的固態(tài)深紫外（DUV）激光源。這款激光源能夠產(chǎn)生與當前主流DUV曝光技術相匹配的193納米波長相干光，為半導體工藝向3納米節(jié)點的推進提供了關鍵支撐。

目前，市場上主流的DUV光刻機，例如ASML、佳能和尼康等品牌，主要依賴于氟化氙（ArF）準分子激光技術。這種技術通過特定氣體混合物在高壓電場中的激發(fā)，釋放出193納米波長的光子，并以高能量短脈沖的形式發(fā)射，再經(jīng)過復雜的光學系統(tǒng)調整應用于光刻設備。

相比之下，中科院此次研發(fā)的固態(tài)DUV激光技術采用了全新的設計思路。該技術首先利用自制的Yb:YAG晶體放大器生成1030納米的激光，然后將其引導至兩條不同的光學路徑進行波長轉換。其中一條路徑通過四次諧波轉換技術，將激光波長縮短至258納米；另一條路徑則利用光學參數(shù)放大技術，將激光波長轉換為1553納米。最終，這兩束激光在串級硼酸鋰（LBO）晶體中相遇并混合，成功產(chǎn)生了193納米波長的激光光束。

經(jīng)過精密測量，這款固態(tài)DUV激光源的性能表現(xiàn)出色。其平均功率達到了70毫瓦，頻率為6千赫茲，線寬低于880兆赫茲，半峰全寬更是小于0.11皮米（即千分之一納米）。這些參數(shù)表明，該激光源的光譜純度與現(xiàn)有的商用準分子激光系統(tǒng)相當，完全能夠滿足高端半導體制造的需求。

除了光譜純度方面的優(yōu)勢，這款固態(tài)DUV激光源還在降低光刻系統(tǒng)復雜度、減小體積、減少稀有氣體依賴以及降低能耗等方面展現(xiàn)出了巨大潛力。然而，盡管其頻率已經(jīng)達到了現(xiàn)有技術的約三分之二水平，但輸出功率仍有待進一步提升，才能達到實際應用的標準。因此，中科院將繼續(xù)對這項技術進行深入研究和優(yōu)化，以期早日實現(xiàn)其商業(yè)化應用。

值得注意的是，這一研究成果已經(jīng)在國際光電工程學會（SPIE）的官方平臺上公布，并引起了業(yè)界的廣泛關注和熱議。固態(tài)DUV激光技術的這一突破性進展，無疑為半導體產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展注入了新的活力和希望。