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三星斥資5000億韓元,引進ASML頂尖High NA EUV光刻機沖刺2納米

   時間:2025-03-12 13:59 來源:ITBEAR作者:沈如風

三星電子近日在其華城園區引入了一項重大技術升級,據韓媒FNnews報道,該公司引進了ASML制造的High NA極紫外光刻(EUV)設備,旨在增強2納米及以下先進制程技術的競爭力。

ASML所生產的High NA EUV設備,型號為“EXE:5000”,是目前全球唯一能供應此類高端設備的廠商。其價格昂貴,每臺高達5000億韓元(約等于24.88億元人民幣)。該設備通過提升透鏡和反射鏡的尺寸,成功將數值孔徑(NA)從0.33提高至0.55,極大程度上增強了光刻的精確度,成為了制造2納米及以下芯片不可或缺的關鍵工具。

與現有的EUV設備相比,High NA EUV設備能夠實現更精細的電路線寬,從而有效降低功耗,并提升數據處理速度。自去年起,三星電子已經開始評估該設備在工藝上的應用,并計劃將其應用于下一代半導體制造中。

在完成設備安裝后,三星電子計劃全面構建一個完善的2納米工藝生態系統。據三星晶圓代工業務部負責人韓鎮萬表示,盡管公司在環繞柵極(GAA)工藝轉換上處于領先地位,但在商業化進程上仍需加速,因此,2納米工藝的快速量產成為了公司的首要目標。

全球半導體行業的巨頭們都在加速引入High-NA EUV設備。其中,英特爾在2023年便率先采購了ASML的首臺High-NA EUV設備,并已簽訂合同購買總計6臺。據報道,英特爾的前兩臺High-NA EUV設備已經投入生產,每季度能夠處理3萬片晶圓。

據BITS&CHIPS報道,英特爾預計將成為首批獲得EXE:5200設備的公司,用于其14A節點的生產。而臺積電則計劃在2028年啟動High-NA EUV設備的量產。

 
 
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