在半導(dǎo)體行業(yè)的盛會SEMICON China 2025上，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（簡稱“中微公司”）隆重揭曉了其自主研發(fā)的12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備——Primo Halona。這款設(shè)備的推出，標(biāo)志著中微公司在高端半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域邁出了堅實的一步。

Primo Halona以其獨特的雙反應(yīng)臺設(shè)計成為全場焦點。據(jù)中微公司介紹，該設(shè)備能夠靈活配置多達(dá)三個雙反應(yīng)臺的反應(yīng)腔，每個反應(yīng)腔均能同時處理兩片晶圓。這一設(shè)計在降低生產(chǎn)成本的同時，有效滿足了晶圓邊緣刻蝕的量產(chǎn)需求，大幅提升了生產(chǎn)效率。

Primo Halona在設(shè)備穩(wěn)定性與耐久性方面也表現(xiàn)出色。其腔體內(nèi)部采用了抗腐蝕材料設(shè)計，能夠抵御鹵素氣體的侵蝕。同時，設(shè)備腔體均配備了精準(zhǔn)的Quadra-arm機械臂，確保了晶圓處理的靈活性和準(zhǔn)確性。

Primo Halona還配備了獨特的自對準(zhǔn)安裝設(shè)計方案。這一方案不僅提高了上下極板的對中精度和平行度，還有效減少了因校準(zhǔn)安裝帶來的停機維護時間，從而幫助客戶優(yōu)化產(chǎn)能，實現(xiàn)精益生產(chǎn)。

在智能化方面，Primo Halona同樣表現(xiàn)出色。該設(shè)備提供了可選裝的集成量測模塊，客戶可以通過該模塊實現(xiàn)本地實時膜厚量測，一鍵式完成晶圓傳送的補償校準(zhǔn)。這一功能不僅提升了產(chǎn)品的維護性，還大大提高了后期維護效率。

除了Primo Halona之外，中微公司在ICP雙反應(yīng)臺刻蝕機方面也取得了新的突破。通過不斷提升反應(yīng)臺之間氣體控制的精度，中微公司的Primo Twin-Star刻蝕機已經(jīng)實現(xiàn)了0.2A（亞埃級）的刻蝕精度。這一精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蝕工藝上均得到了驗證。

據(jù)了解，0.2A的刻蝕精度相當(dāng)于硅原子直徑2.5埃的十分之一，是人類頭發(fā)絲平均直徑100微米的500萬分之一。這一突破不僅展示了中微公司在半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)方面的領(lǐng)先地位，也為未來半導(dǎo)體工藝的發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)。